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ECH8668
1000
7
5
SW Time -- ID
[Pch]
VDD= --10V
VGS= --4V
3
2
Ciss, Coss, Crss -- VDS
[Pch]
f=1MHz
3
2
1000
Ciss
100
td(off)
7
5
7
5
tf
3
3
2
10
tr
td(on)
2
100
Coss
Crss
7
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
7
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
10
1m μ s
ms
0m
era
n(
Ta
25
° C
area is limited by RDS(on).
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
VDS= --10V
ID= --5A
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
IT13079
[Pch]
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
IDP= --40A PW ≤ 10 μ s
Operation in this
ASO [Pch]
op s
DC 10
tio
ID= --5A 10
=
s
)
0
IT13080
Ta=25 ° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
--1.0
--0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
--0.1
7
5
3
2
--0.01
--0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3
5 7 --10
2 3
5
1.8
1.6
Total Gate Charge, Qg -- nC IT13081
PD -- Ta [Nch/Pch]
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT13082
1.5
1.4
1.3
1.2
To
al
nit
1.0
0.8
0.6
1u
t
Di
ss
ip
a i t
on
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT13083
No. A1510-5/8
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